ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਕੋਟਿੰਗ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਭੌਤਿਕ ਵਾਸ਼ਪ ਪਰਤ ਵਿਧੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਤੁਲਨਾ ਪਹਿਲਾਂ ਦੀ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਪਰਤ ਵਿਧੀ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਕਈ ਪਹਿਲੂਆਂ ਵਿੱਚ ਇਸਦੇ ਫਾਇਦੇ ਕਾਫ਼ੀ ਕਮਾਲ ਦੇ ਹਨ।ਇੱਕ ਪਰਿਪੱਕ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਨੂੰ ਕਈ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।
ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਸਿਧਾਂਤ:
ਸਪਟਰਡ ਟਾਰਗੇਟ ਪੋਲ (ਕੈਥੋਡ) ਅਤੇ ਐਨੋਡ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਆਰਥੋਗੋਨਲ ਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫੀਲਡ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ ਵੈਕਿਊਮ ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਲੋੜੀਂਦੀ ਅੜਿੱਕਾ ਗੈਸ (ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਰ ਗੈਸ) ਭਰੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਸਥਾਈ ਚੁੰਬਕ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇੱਕ 250-350 ਗੌਸ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਆਰਥੋਗੋਨਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਫੀਲਡ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਨਾਲ ਬਣਿਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਤਹਿਤ, ਆਰ ਗੈਸ ਆਇਓਨਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਆਇਨਾਂ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਵਿੱਚ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੁਝ ਖਾਸ ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਦਬਾਅ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੁਆਰਾ ਖੰਭੇ ਤੋਂ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਅਤੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਗੈਸ ਆਇਓਨਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਸੰਭਾਵਨਾ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ, ਨੇੜੇ ਇੱਕ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ। ਕੈਥੋਡ, ਲੋਰੇਂਟਜ਼ ਫੋਰਸ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਦੇ ਅਧੀਨ ਏਆਰ ਆਇਨ, ਟੀਚੇ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਉੱਡਣ ਲਈ ਤੇਜ਼ ਰਫ਼ਤਾਰ, ਟੀਚੇ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਤੇਜ਼ ਰਫ਼ਤਾਰ ਨਾਲ ਬੰਬਾਰੀ ਕਰਨਾ, ਟੀਚੇ 'ਤੇ ਥੁੱਕੇ ਪਰਮਾਣੂ ਮੋਮੈਂਟਮ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਕਰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਨਾਲ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਸਤ੍ਹਾ ਤੋਂ ਦੂਰ ਉੱਡਦੇ ਹਨ। ਸਬਸਟਰੇਟ ਜਮ੍ਹਾਂ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਊਰਜਾ।
ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਨੂੰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦੋ ਕਿਸਮਾਂ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ: ਡੀਸੀ ਸਪਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਆਰਐਫ ਸਪਟਰਿੰਗ।ਡੀਸੀ ਸਪਟਰਿੰਗ ਉਪਕਰਣ ਦਾ ਸਿਧਾਂਤ ਸਧਾਰਨ ਹੈ, ਅਤੇ ਧਾਤ ਨੂੰ ਸਪਟਰ ਕਰਨ ਵੇਲੇ ਦਰ ਤੇਜ਼ ਹੁੰਦੀ ਹੈ.ਆਰਐਫ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਧੇਰੇ ਵਿਆਪਕ ਹੈ, ਪਰਵਾਹਕ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਸਪਟਰ ਕਰਨ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਗੈਰ-ਸੰਚਾਲਕ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਵੀ ਸਪਟਰ ਕਰਨ, ਪਰ ਆਕਸਾਈਡਾਂ, ਨਾਈਟਰਾਈਡਾਂ ਅਤੇ ਕਾਰਬਾਈਡਾਂ ਅਤੇ ਹੋਰ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਪਟਰਿੰਗ ਤਿਆਰੀ।ਜੇ ਆਰਐਫ ਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਸਪਟਰਿੰਗ ਬਣ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਸਾਈਕਲੋਟ੍ਰੋਨ ਰੈਜ਼ੋਨੈਂਸ (ਈਸੀਆਰ) ਕਿਸਮ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਸਪਟਰਿੰਗ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ ਸਪਟਰਿੰਗ ਕੋਟਿੰਗ ਟੀਚਾ ਸਮੱਗਰੀ:
ਮੈਟਲ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਕੋਟਿੰਗ ਐਲੋਏ ਸਪਟਰਿੰਗ ਕੋਟਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਕੋਟਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ, ਬੋਰਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਕਾਰਬਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਫਲੋਰਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਆਕਸਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਆਕਸਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਸੇਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਸਿਲੀਸਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਸਲਫਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਟੇਲੂਰਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਪਟਰਿੰਗ ਟਾਰਗੇਟ, ਹੋਰ ਸਿਰੇਮਿਕ ਟਾਰਗਿਟ, ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ-ਡੋਪਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਆਕਸਾਈਡ ਸਿਰੇਮਿਕ ਟਾਰਗਿਟ (ਸੀਆਰ-ਸੀਓ), ਇੰਡੀਅਮ ਫਾਸਫਾਈਡ ਟਾਰਗੇਟ (ਆਈਐਨਪੀ), ਲੀਡ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਟਾਰਗੇਟ (ਪੀਬੀਏਐਸ), ਇੰਡੀਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਟੀਚਾ (InAs)।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਗਸਤ-03-2022